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EN 021-6525 3206

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SH-Ta系列加熱器

超高真空兼容的SH-Ta系列加熱器采用特殊繞制的高純鉭絲輻射加熱,可垂直安裝至分子束外延系統(tǒng)中,非常適用于生長各種化合物半導(dǎo)體材料。樣品臺容許承載4、6、8inch襯底托盤,可根據(jù)MBE系統(tǒng)選用不同型號的SH-Ta系列加熱器。加熱區(qū)采用高純鉭、鉬及PBN材料,可最大限度減少高溫狀態(tài)下材料放氣及產(chǎn)生顆粒。襯底旋轉(zhuǎn)采用獨特的耐高溫磁耦合旋轉(zhuǎn)驅(qū)動結(jié)構(gòu),烘烤過程中無需拆除磁鐵,可保證襯底在生長溫度下連續(xù)旋轉(zhuǎn)較長時間,無需進行維護。特殊設(shè)計的加熱絲分布,可實現(xiàn)襯底表面均勻加熱。


產(chǎn)品特點
螺旋鉭絲輻射加熱●  最高工作溫度可達1000℃襯底可連續(xù)旋轉(zhuǎn)(0-60RPM)
全片溫度均勻性優(yōu)于±3℃●  適用于不同尺寸的襯底


技術(shù)參數(shù)

加熱器型號SH800-TaSH800P-TaSH1000-TaSH2000-Ta
氣體負載MBE800MBE800PSH1000SH2000
加熱盤尺寸(mm)170206284462
托盤尺寸(mm)126185270400
安裝法蘭CF250CF250CF350WS600
加熱絲數(shù)目12

加熱絲材質(zhì)
螺旋鉭絲
加熱方式輻射加熱
熱電偶C型 / W-Re 5%-26% (可選配K型)
常用旋轉(zhuǎn)速度0-40 RPM,最高轉(zhuǎn)速60RPM
常用工作溫度800℃
最高除氣溫度1000℃
溫度穩(wěn)定性≤±0.2℃
溫度均勻性≤±3℃
烘烤溫度250℃
訂購編碼3205010037320501018432050101493205010185

RFPS射頻等離子體源與Riber或Veeco MBE系統(tǒng)兼容信息請聯(lián)系費勉儀器


測試數(shù)據(jù)

資源 2@4x.png

標(biāo)簽: 超高真空MBE
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