HL系列蒸發(fā)源通常適用于Ga，In等材料，采用瓶狀坩堝和雙加熱絲的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，上下溫區(qū)獨(dú)立控溫，可實(shí)現(xiàn)正溫度梯度，避免材料在坩堝口部凝結(jié)，從而降低橢圓形缺陷密度。憑借其獨(dú)特的坩堝形狀，HL系列蒸發(fā)源可顯著增加裝料容積，延長材料蒸發(fā)平均時(shí)間，大幅降低開關(guān)快門瞬間束流變化程度。另外，瓶狀坩堝有助于形成恒定的液體表面，可提供優(yōu)異的均勻性，長期穩(wěn)定的束流強(qiáng)度及良好的束流重復(fù)性。根據(jù)坩堝內(nèi)材料的多少，調(diào)整上下溫區(qū)的溫度梯度，對(duì)束流均勻性進(jìn)行優(yōu)化。
| ● 超高真空兼容 | ● 兩組加熱絲單獨(dú)控溫，可實(shí)現(xiàn)“熱唇”構(gòu)型 | ● 采用瓶狀坩堝，具有優(yōu)異的束流均勻性和長期穩(wěn)定性 |
| ● 溫度穩(wěn)定性優(yōu)于±0.2℃ | ● 配備獨(dú)立水冷套，蒸發(fā)源與水冷可單獨(dú)拆卸 |
| 蒸發(fā)源型號(hào) | HL110 | HL175 | HL1100 | HL2350 | |
| 坩堝容積 (cc) | 110 | 175 | 1100 | 2350 | |
| 安裝法蘭尺寸 | CF63 | CF63 | CF125 | CF200 | |
| 總長度 (mm) | 399 | 460.5 | 602.3 | 653.3 | |
| 真空內(nèi)長度 (mm) | 260.3 | 321.8 | 447 | 513.3 | |
| 真空內(nèi)外徑 (mm) | 55.3 | 55.3 | 100.2 | 164 | |
坩堝尺寸 (mm) | 直徑 | 15.1 | 15.1 | 31.4 | 38.1 |
| 高度 | 119.5 | 181 | 314.4 | 403.7 | |
| 坩堝材質(zhì) | PBN | ||||
| 坩堝形狀 | 瓶狀坩堝 | ||||
| 加熱方式 | 輻射加熱，PBN支撐鉭片 | ||||
| 熱電偶 | C型/W-Re 5%-26% | ||||
| 溫度穩(wěn)定性 | ≤±0.2℃ | ||||
| 工作溫度 | 300-1350℃ | ||||
| 最高除氣溫度 | 上溫區(qū)1300℃，下溫區(qū)1350℃ | ||||
| 烘烤溫度 | 250℃ | ||||
| 訂購編碼 | 3205010064 | 3205010052 | 3205010041 | 3205010170 | |
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