展會(huì)預(yù)告丨第一屆HAXPES硬X射線(xiàn)光電子能譜研討會(huì)

第一屆HAXPES硬X射線(xiàn)光電子能譜研討會(huì)，將于2024年10月12日-13日在上海張江科學(xué)城-上海光源舉辦。

X射線(xiàn)光電子能譜（XPS）是實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品表面元素組分和化學(xué)態(tài)定性和定量分析的無(wú)損探測(cè)技術(shù)，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于科學(xué)研究和產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。傳統(tǒng)的XPS采用軟X射線(xiàn)作為光源，其分析深度一般是表面10 nm以?xún)?nèi)，而涉及體相的深度分析需要借助離子束刻蝕的方法來(lái)進(jìn)行。然而，基于離子刻蝕的XPS深度分析是一個(gè)樣品破壞過(guò)程，可能導(dǎo)致化學(xué)態(tài)的破壞而產(chǎn)生假象，因此亟需開(kāi)發(fā)無(wú)損的深度分析方法。為此，硬X射線(xiàn)光電子能譜（簡(jiǎn)稱(chēng)HAXPES）應(yīng)運(yùn)而生，它采用更高能量的硬X射線(xiàn)（5-10 KeV）作為激發(fā)源，所激發(fā)產(chǎn)生的光電子具有更大的非彈性平均自由程，因此HAXPES可以將XPS的探測(cè)深度擴(kuò)展到幾十納米。HAXPES的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)界面結(jié)構(gòu)的無(wú)損深度分析，還能將探測(cè)信息延伸至更深的芯能級(jí)。因此，HAXPES將為基礎(chǔ)科學(xué)研究和相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供強(qiáng)有力的支撐。

國(guó)際范圍內(nèi)HAXPES已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，如對(duì)半導(dǎo)體器中金屬氧化物界面層的無(wú)損探測(cè)以及固液界面的電子結(jié)構(gòu)原位分析等方面都取得了重要的進(jìn)展。但國(guó)內(nèi)基于HAXPES的基礎(chǔ)研究和應(yīng)用研究仍處于起步階段，特別是基于同步輻射光源的HAXPES設(shè)施還比較欠缺。上海光源的能源材料線(xiàn)（簡(jiǎn)稱(chēng)E-line）是國(guó)內(nèi)第一條覆蓋軟、硬X射線(xiàn)能區(qū)的復(fù)合型線(xiàn)站，光子能量范圍為130-18000 eV，是開(kāi)展HAXPES基礎(chǔ)研究及應(yīng)用研究的理想平臺(tái)，并發(fā)展了超寬能區(qū)近常壓XPS以及HAXPES方法。同時(shí)，基于Cr靶 (Kα, 5.42 KeV) 和Ga靶 (Kα, 9.25 KeV) 的X射線(xiàn)源也已經(jīng)成功應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室HAXPES儀器。