展會預告丨第一屆HAXPES硬X射線光電子能譜研討會

第一屆HAXPES硬X射線光電子能譜研討會，將于2024年10月12日-13日在上海張江科學城-上海光源舉辦。

X射線光電子能譜（XPS）是實現(xiàn)對樣品表面元素組分和化學態(tài)定性和定量分析的無損探測技術，已經廣泛應用于科學研究和產業(yè)領域。傳統(tǒng)的XPS采用軟X射線作為光源，其分析深度一般是表面10 nm以內，而涉及體相的深度分析需要借助離子束刻蝕的方法來進行。然而，基于離子刻蝕的XPS深度分析是一個樣品破壞過程，可能導致化學態(tài)的破壞而產生假象，因此亟需開發(fā)無損的深度分析方法。為此，硬X射線光電子能譜（簡稱HAXPES）應運而生，它采用更高能量的硬X射線（5-10 KeV）作為激發(fā)源，所激發(fā)產生的光電子具有更大的非彈性平均自由程，因此HAXPES可以將XPS的探測深度擴展到幾十納米。HAXPES的獨特優(yōu)勢，不僅能夠實現(xiàn)對界面結構的無損深度分析，還能將探測信息延伸至更深的芯能級。因此，HAXPES將為基礎科學研究和相關產業(yè)發(fā)展提供強有力的支撐。

國際范圍內HAXPES已經得到了廣泛的應用，如對半導體器中金屬氧化物界面層的無損探測以及固液界面的電子結構原位分析等方面都取得了重要的進展。但國內基于HAXPES的基礎研究和應用研究仍處于起步階段，特別是基于同步輻射光源的HAXPES設施還比較欠缺。上海光源的能源材料線（簡稱E-line）是國內第一條覆蓋軟、硬X射線能區(qū)的復合型線站，光子能量范圍為130-18000 eV，是開展HAXPES基礎研究及應用研究的理想平臺，并發(fā)展了超寬能區(qū)近常壓XPS以及HAXPES方法。同時，基于Cr靶 (Kα, 5.42 KeV) 和Ga靶 (Kα, 9.25 KeV) 的X射線源也已經成功應用于實驗室HAXPES儀器。