PLD 300 是費勉儀器專為大學(xué)和科研院所開發(fā)的脈沖激光沉積設(shè)備，用于生長超導(dǎo)薄膜、鐵電材料、熱電材料、壓電材料以及復(fù)雜氧化物的多層膜和異質(zhì)膜。系統(tǒng)可實現(xiàn)對化學(xué)成分較復(fù)雜的復(fù)合物材料進(jìn)行材料生長，同時生長過程中可引入活性或惰性及混合氣等工藝氣體，以提高薄膜生長品質(zhì)。
PLD 300 | 模塊描述 | 配置參數(shù) | |
生長室 | 腔體 | 腔體材料 | SS316 |
腔體尺寸 | 300mm I.D. | ||
烘烤溫度 | Max.200℃ | ||
本底真空 | < 5×10-10mbar | ||
抽氣系統(tǒng) | 450L/s分子泵+10L/s機(jī)械泵 | ||
真空測量系統(tǒng) | 全量程規(guī)+電容薄膜規(guī) | ||
離子泵/TSP/NEG | 選配 | ||
樣品架 | 樣品尺寸 | 2 inch | |
襯底加熱方式 | 輻射加熱/激光加熱 | ||
襯底加熱器最高溫度 | 1200℃ | ||
襯底最大旋轉(zhuǎn)速度 | 30RPM | ||
靶臺 | 靶材尺寸 | 6×1 inch或3×2 inch | |
旋轉(zhuǎn)方式 | 公轉(zhuǎn)+自轉(zhuǎn) | ||
獨立的靶臺擋板 | 氣動驅(qū)動 | ||
質(zhì)量流量計 | 三路/200sccm | ||
部件 | QCM | 標(biāo)配 | |
差分RHEED | 15KeV-30KeV | ||
Ion Source | 選配 | ||
RGA | 選配 | ||
快速進(jìn)樣室 | 腔體 | 腔體材料 | SS316 |
烘烤溫度 | 120℃ | ||
本底真空 | < 5×10-8mbar | ||
抽氣系統(tǒng) | 80L/s分子泵+10L/s機(jī)械泵 | ||
真空測量系統(tǒng) | 全量程規(guī) | ||
部件 | 樣品停放臺 | 3工位 | |
傳樣桿 | CF35/600mm | ||
軟硬件集成 | GUIDE軟件 | 標(biāo)配 | |
烘烤系統(tǒng) | 標(biāo)配 | ||
系統(tǒng)支架 | 標(biāo)配 | ||
真空照明系統(tǒng) | 標(biāo)配 | ||
激光器 | 進(jìn)口/國產(chǎn)選配 | ||
KSA圖像分析系統(tǒng) | 選配 | ||
Kaufman離子源 | 選配 | ||
紅外測溫儀 | 選配 | ||
泵車 | 選配 | ||
等離子清洗 | 選配 | ||
CCD相機(jī) | 選配 | ||
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