HMF-MBE 200 配置不同類型的蒸發(fā)源，適用于強(qiáng)磁場(chǎng)下多種材料體系研究，可生長(zhǎng)金屬、磁性薄膜及半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)，適合互聯(lián)多種原位量測(cè)系統(tǒng)。同時(shí)系統(tǒng)操作簡(jiǎn)單，模塊化腔室構(gòu)型，方便日常維護(hù)保養(yǎng)。
| ● 集成無(wú)液氦強(qiáng)磁場(chǎng)超導(dǎo)磁鐵 | ● 可實(shí)現(xiàn)室溫強(qiáng)磁場(chǎng)條件下分子束外延生長(zhǎng) |
| ● 生長(zhǎng)源部件：3xDN40CF（強(qiáng)磁場(chǎng)下生長(zhǎng)鐵磁材料）、2xDN40CF（生長(zhǎng)常規(guī)金屬）、1xDN40CF（射頻等離子源） | |
| HMF-MBE-200 | 模塊描述 | 配置參數(shù) | |
| 生長(zhǎng)室 | 腔體 | 腔體材料 | SS316 |
| 腔體尺寸 | 200mm I.D | ||
| 烘烤溫度 | Max.200℃ | ||
| 本底真空 | < 5×10-10 mbar | ||
| 抽氣系統(tǒng) | 300L/s分子泵+10m3/h機(jī)械泵 | ||
| 真空測(cè)量系統(tǒng) | 離子規(guī)+Pirani規(guī) | ||
| 離子泵 | 選配 | ||
| 樣品架 | 樣品尺寸 | Flag-type樣品托 | |
| 襯底加熱方式 | 輻射加熱 | ||
| 襯底加熱器溫度 | 1200K | ||
| 部件 | 蒸發(fā)源配置 | 6xDN40CF | |
| 獨(dú)立的蒸發(fā)源擋板 | 氣動(dòng)驅(qū)動(dòng) | ||
| QCM | 選配 | ||
| Ion Source | 選配 | ||
| RGA | 選配 | ||
| 超導(dǎo)磁體 | 磁體類型 | 干式/GM制冷 | |
| 磁體環(huán)境 | 室溫腔體 | ||
| 腔體內(nèi)徑 | 105mm | ||
| 磁場(chǎng)強(qiáng)度 | ±9T | ||
| 磁場(chǎng)均勻性 | <0.1% | ||
| 快速進(jìn)樣室 | 腔體 | 腔體材料 | SS316 |
| 烘烤溫度 | Max.200℃ | ||
| 本底真空 | <5×10-8 mbar | ||
| 抽氣系統(tǒng) | 80L/s分子泵+10m3/h機(jī)械泵 | ||
| 真空測(cè)量系統(tǒng) | 全量程規(guī) | ||
| 部件 | 樣品停放臺(tái) | 6或12工位 | |
| 傳樣桿 | CF35/600mm | ||
| 機(jī)械手 | CF35/150mm | ||
| 系統(tǒng)集成及控制 | GUIDE軟件 | 標(biāo)配 | |
| 烘烤系統(tǒng) | 標(biāo)配 | ||
| 系統(tǒng)支架 | 標(biāo)配 | ||
| 真空照明系統(tǒng) | 選配 | ||
| 等離子清洗 | 選配 | ||
| CCD相機(jī) | 選配 | ||
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